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1、 试验系统主要功能
1)上位机及dSPACE实时控制系统
2)综合接口电路模块(自制)
3)磁流变阻尼器(MRD)驱动(自制)
4)振动控制(可自制)
5)功放
6)振动台
7)MRD
8)夹具和传感器组(自制)
三、 试验系统参数1、半主动控制系统参数
2、正弦激励测试
以下曲线表示某磁流变阻尼器应用系统在单频谐波激励和扫频分析下的系统响应结果。
图1 单频谐波激励
图2 扫频分析
3、随机谱激励测试
以下曲线表示某磁流变阻尼器应用系统在随机路谱激励信号下的系统响应结果。
图3 随机路谱测试功率谱密度
4、磁流变阻尼器示功测试分析
以下曲线表示某商用磁流变阻尼器的示功实验结果与计算模型辨识结果对比。
图4 磁流变阻尼器示功分析结果与计算模型对比
注:由于实验环境与硬件品牌型号差异,项目最终实际结果可能与上述示例存在差异。
1)磁流变阻尼器驱动(非标定制)
2)振动控制(非标定制),
3)振动台和振动控制仪(使用实验室先用平台集成)
4)磁流变阻尼器
5)夹具和传感器组(夹具需要非标定制)
测量量 |
传感器类型 |
数量 |
振动台位移 |
磁致伸缩位移传感器 110mm |
1 |
被测量位移 |
拉绳式位移传感器 500mm |
2 |
被测量加速度 |
压电式力传感器 ±3g |
2 |
被测量总力 |
压电式(只动态),压50kN,拉20kN |
2 |
6)机械主体
依振动台尺寸设计加工,并对振动台进行固定施工等;
3、 综合接口电路系统
1)要求具有高数据传输速率、精密时序特性以及低功耗工作的优点,工作温度最高可达:125℃;
2)要求为数字信号提供独立的隔离通道,保护控制器的不受大功率电力电子设备的干扰;
3)要求利用高速CMOS与空芯变压器,具有优于光耦合器等器件的出色性能特征。
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